雷达的ka波段和ku波段区别？
1.Ka频段频率更高，同样口径的天线波束更窄，天线方向性更好，意味着天线接收到的相邻卫星干扰更少，对离轴功率谱密度的限制也会更小，从而提高系统的性能；
2.Ka频段更多的免费轨道时隙可以让非主流卫星运营商有机会进入这个市场，尝试更多的创新；
3.与Ku波段不同，美国为应用分配了一个特殊的Ka频率，使能够建立自己的卫星星座系统。著名的宽带全球通信卫星通信系统(WGS)就是这一政策的产物。
4.Ka波段的局限性不同于Ku波段的局限性。虽然Ka波段在天线尺寸固定的情况下可以获得更好的指向性和增益，但是被更高的空间损耗所抵消。此外，对于商用Ka波段，离轴
为什么东芝移动硬盘变成“ESD-USB”了？
用win10自带的usb安装后，发现u盘是辩证
主板cmos电路分析哪些方面，CMOS电路ESD保护结构的设计作用是什么？
答:cmos电路简介。
CMOS电路是互补金属氧化物半导体英文前缀的缩写。它由绝缘场效应晶体管组成。因为只有一个载体，所以是单极晶体管集成电路。其基本结构是一个N沟道MOS晶体管和一个P沟道MOS晶体管，如下图所示。
CMOS电路基本结构示意图
cmos电路的工作原理
cmos电路分析的工作原理如下:
由于两个晶体管的工作电压极性相反，所以两个晶体管作为输入端相连，两个漏极作为输出端相连，如图1(a)所示，所以两个晶体管只是互为负载，处于互补的工作状态。
当输入低电平(ViVss)时，PMOS管导通，NMOS管关断，输出高电平，如图1(b)所示。
当输入电平为高电平(ViVDD)时，PMOS管关闭，NMOS管开启，输出为低电平，如图1(c)所示。
两根管子它像单刀双掷开关一样交替工作，构成逆变器。
主板CMOS电路分析
一、主板CMOS电路分析——主板CMOS电路组成
电路保存CMOS存储器中的信息，在主板断电后，由一个纽扣电池供电使CMOS电路正常工作，从而保证CMOS存储器中的信息不丢失。CMOS电路在接收到外围专用晶振提供的不间断电源和时钟信号后，会一直处于工作状态，可以随时参与唤醒任务(即启动)。
电路主要由CMOS随机存储器、实时时钟电路(包括振荡器、晶体振荡器、谐振电容等组成。)，跳线，南桥芯片，电池，电源电路。
二、主板CMOS电路分析——CMOS随机存储器
CMOSRAM的作用是存储系统日期、时间、主板内存容量、硬盘类型和数量、显卡类型、当前系统硬件配置和用户设置的一些参数等重要信息。开机时，BIOS初始化系统自检，将系统自检检测到的配置与CMOSRAM中的参数进行比较，正确后才启动系统。
三、主板CMOS电路分析——实时时钟电路
1.实时时钟电路的功能是产生32的正弦波时钟信号。768kHz，负责为CMOS电路和启动电路提供所需的时钟信号(CLK)。实时时钟电路主要包括振荡器(集成在南桥)、32.768kHz晶振、谐振电容等元件。
ESD保护结构的CMOS电路分析设计
ESD电流大部分来自电路外部，所以ESD保护电路一般设计在焊盘旁边，I/O电路内部。典型的I/O电路由一个输出驱动器和一个输入接收器组成。ESD是通过焊盘引入芯片的，所以I/O中所有直接连接到焊盘的器件都需要建立一个并联的ESD低阻旁路，将ESD电流引入电压线，然后从电压线分配到芯片的各个管脚，以减少ESD的影响。具体到I/O电路，即连接到焊盘的输出驱动器和输入接收器，需要保证在ESD发生时，与保护电路并联形成低阻通路，旁路ESD电流，保护电路的电压能够被立即有效地箝位。当这两部分正常工作时，电路的正常工作不会受到影响。
常用的ESD保护器件有电阻、二极管、双极晶体管、MOS晶体管、可控硅二极管等。由于MOS管与CMOS工艺的良好兼容性，MOS管常被用来构成保护电路。
CMOS工艺的NMOS晶体管有一个横向寄生的n-p-n(源-p衬底-漏)晶体管，导通时可以吸收大量电流。利用这一现象，可以在小面积上设计出具有高ESD耐受电压的保护电路，其中最典型的器件结构是栅极接地的NMOS(GGNMOS，GateGroundedNMOS).
在正常工作条件下，NMOS横向晶体管不会导通。当ESD发生时，衬底的漏极和耗尽区会发生雪崩，并伴随着电子-空穴对的产生。产生的空穴的一部分被源吸收，其余的流过衬底。由于衬底电阻Rsub的存在，衬底电压增加。当衬底和源极之间的PN结正偏置时，电子从源极发射到衬底中。在源漏间电场的作用下，这些电子被加速，导致电子和空穴的碰撞电离，从而形成更多的电子-空穴对，增加流过n-p-n晶体管的电流，最终造成NMOS晶体管的二次击穿。此时，击穿不再可逆，NMOS晶体管被损坏。
为了进一步降低ESD期间输出驱动器上NMOS两端的电压，可以在ESD保护器件和GGNMOS之间增加一个电阻。这种阻力可以不影响工作信号，所以它可以不要太大。绘制布局时通常使用多晶硅(Poly)电阻器。
由于只有一级ESD保护，当ESD电流较高时，电路内部的电子管仍可能被击穿。GGNMOS开始了。由于大的ESD电流，衬底和金属连接上的电阻可能不可忽视。在这个时候，GGNMOS可以t箝位输入和接收端的栅极电压，因为正是GGNMOS与输入和接收端衬底之间的IR压降使得输入和接收端的氧化硅层的电压达到击穿电压。为了避免这种情况，可以在输入接收器附近添加一个小GGNMOS，用于二级ESD保护，它可以用来箝位输入接收器的栅极电压，如下图所示。
常见静电放电的保护结构和等效电路