W25Q80BV是华邦生产的8M位串行闪存芯片。主要特点是:
工作电压:2.5~3.6伏
功耗:读写时为4mA(有效)，掉电时为lt1μA。
容量:8M位/1M字节，包括4096页(每页大小为256字节)。
接口:标准/双路/四路SPI，支持高达104MHz的时钟频率。
支持以4/32/64k字节为单位的扇区/块擦除。
一次最多写入256字节。
软件/硬件写保护功能
寿命超过100，000次擦除/编程
数据保留时间超过20年
套餐:SOIC/USON/WSON/PDIP
引脚定义
旧的那个没有。;t移动，新的可以插入广域网端口或局域网端口。如果插上局域网端口，必须关闭新的DHCP功能，否则无法上网。
从P1口接一条线到flash的高位地址，可以分别读取高位64k和低位64k。
你好，
1.普通的赢了不做。因为普通的电烙铁，是平头的。
2，你得选，针尖比较大的圆头电烙铁，来，就好了。
3.首先，慢慢取出原芯片。然后，用电烙铁有选择地电镀芯片，然后焊接到电路上。
FLASHFlashROM的读写原理一般是单核的FlashROM，从读写上来说可以说是最简单的一种。特点是写作的单位是"页面"，并且在写入新数据之前不需要擦除原始内容。
管脚为:A0~A16:地址输入(地址线的数量与FlashROM的容量有关)。
DQ0~DQ7:数据输入/输出
#ce:芯片使能输入
#OE:输出使能输入(输出使能)
#WE:写使能输入
图2-1Vdd:电源
GND:地面