51单片机如何存储采集的数据？51单片机的程序存储器有片内和片外两部分。
而且无论片内程序存储器还是片外程序存储器，它们的地址都是共享的。如果片内为4kROM，则地址为0x0000-0x0FFF，0x1000-0xFFFF的地址空间为外部ROM。外部ROM的0x0000-0x0FFF这部分可以用吗？这个取决于单片机EA引脚的电平值。当EA=1时，这部分内部ROM被使用，这部分外部ROM被浪费。当EA=0时，使用外部ROM，内部ROM被浪费。用汇编的MOVC指令从代码段中读取数据，单片机会根据MOVC指令、
51单片机如何存储数据？
没有不知道要保存哪种数据，断电保护还是缓存？如果是为了保存不受掉电保护的缓存数据，可以使用单片机内部的RAM空间，包括20H~7FH的直接寻址区，不被SFR占用的80H~FFH的间接寻址区，也可以使用STC单片机内部的扩展RAM。
如果是保存掉电保护的数据，可以在单片机外面挂上flash或者
请教单片机掉电后，如何快速的保存数据问题？
;关于这个问题，我认为我们应该从以下几个方面着手:尽量使用内部闪存存储数据。内部flash读写速度快，可靠性高。
如果使用外部flash或eeprom进行存储，flash通常是一个spi接口。考虑到电磁干扰和MCU的响应速度，即使使用MCU的硬件SPI模块进行通信，SPI的最大时钟也在1MHz左右，发送一个字节的数据大约需要10us。不考虑擦除闪存的时间，存储100字节的数据大约需要5ms。如果考虑可靠性，需要阅读和验证。
Eeprom一般采用IIC接口，类似SPI接口，高速IIC存储100字节数据至少需要5ms。
FLASH的特点是写数据只能从1重写到0，从0重写到1需要擦除整个页面，或者整个扇区，或者整个块。
以STM32F051为例。一个页面是1kb，一个块是64kByte。擦除一页大约需要20毫秒。在整个擦除过程中，整个MCU被挂起，即不执行任何操作。和FLASH的写操作比较快，大约1字节需要1us。
需要掉电检测电路，掉电检测需要检测给MCU供电的LDO或DC-DC的前级电压。
比如MCU采用12V-3.3VLDO供电，需要检测12V的电压来决定是否断电。
通过电阻分压12V的电压，然后连接到MCU的A/D检测口，判断是否断电。
MCU供电的LDO或DC-DC的前级并联足够的电容，保证电容的供电能保证MCU能写数据。
电容器的尺寸可通过以下步骤确定:
评估断电时前一电压提供的工作电流。一旦单片机检测到掉电，就需要切断耗电输出，比如控制继电器输出的I/O口。比如20mA。
确认LDO的最低输入电压，如5.3。
确认判断断电的电压，如10V，确认断电开始与LDO最低输入电压的电压差，如4.7V
确认写入所有数据所需的时间，例如20ms。
根据公式计算所需电容，C=I*T/U=20mA*20mS/4.7V=85uF。可以选择100uF的电容。
一旦MCU检测到掉电，需要切断耗电输出，比如控制继电器输出的I/O口需要立即断开。
在正常操作中，预先准备一个存储空间并将其擦除到0xFF中。
检测到掉电后，可以直接写入数据，无需擦除FLASH内容，可以节省大量时间。