MOS管是什么？
MOS场效应晶体管，通常简称场效应晶体管，是一种应用场效应原理工作的半导体器件。与普通双极晶体管相比，场效应晶体管具有输入阻抗高、噪声低、动态范围大、功耗低、易于集成等特点，得到了越来越广泛的应用。场效应晶体管有很多种，主要分为结型场效应晶体管和绝缘栅场效应晶体管，两者又分为n沟道和p沟道。
mos管是什么原理，起什么作用的？
MOS晶体管的原理:
它使用VGS来控制"感应电荷"来改变由这些"感应电荷"进而达到控制漏极电流的目的。在制造灯管的时候，大量的正离子通过工艺出现在绝缘层中，所以可以在界面的另一侧感应出更多的负电荷。这些负电荷连接高渗杂质的N区，形成导电通道。即使在VGS0，也有很大的漏极电流ID。当栅电压变化时，沟道中感应的电荷量也发生变化，导电沟道的宽度也发生变化，因此漏电流ID随着栅电压的变化而变化。
功能:
1.它可以应用于放大器电路。由于MOS晶体管放大器的输入阻抗很高，耦合电容可以很小，不需要电解电容。
2.非常高的输入阻抗非常适合阻抗变换。它常用于多级放大器输入级的阻抗变换。
3.它可以用作可变电阻。
4.它可以方便地用作恒流源。
5、可作为电子开关使用。
简介:
Mos晶体管，即集成电路中的绝缘场效应晶体管。它是一种金属氧化物半导体场效应晶体管。或者金属-绝缘体-半导体。MOS晶体管的源漏可以切换，都是在P型背栅中形成的N型区。在大多数情况下，两个区域是相同的，即使两端切换，也不会影响器件的性能。这种器件被认为是对称的。
结构特征:
MOS晶体管的内部结构如下图所示。导通时，只有一个极性的载流子(多极)参与导通，是单极晶体管。导通机理与小功率MOS管相同，但结构有很大不同。小功率MOS管是横向导电器件，大部分功率MOSFET采用纵向导电结构，也称为VMOSFET，大大提高了MOSFET器件的耐压和电流能力。
n沟道mos管
p沟道金属氧化物半导体晶体管
它的主要特点是在金属栅和沟道之间有一层二氧化硅绝缘层，因此具有较高的输入电阻。当电子管导通时，在两个高浓度N扩散区之间形成一个N型导电沟道。N沟道增强型MOS晶体管必须在栅极上正向偏置，只有当栅源电压大于阈值电压时，才会有导通沟道产生的N沟道MOS晶体管。n沟道耗尽型MOS晶体管是指没有栅极的晶体管。当电压(栅源电压为零)时，有一个导电沟道产生的N沟道MOS管。